PN结工作原理概述：
PN结形成
通过在半导体基片上采用不同的掺杂工艺，分别形成N型半导体和P型半导体，它们的交界面形成了PN结。
内建电场
P型半导体中多子为空穴，N型半导体中多子为电子，在交界面处形成空间电荷区，产生内建电场，方向由N区指向P区。
正向偏置
当PN结两端加正向电压时，外加电压方向与内建电场相反，降低了电势垒，使得电子和空穴更容易通过，形成正向电流。
反向偏置
当PN结两端加反向电压时，外加电压方向与内建电场相同，增加了电势垒，阻碍了电子和空穴的流动，电流不能通过，形成反向截止状态。
漏电流
在反向偏置状态下，少子（电子和空穴）在外加电场作用下移动，形成漏电流。
击穿
当反向电压增大到一定程度时，少子数量和能量增大，可能碰撞破坏共价键，释放出电子和空穴，导致反向电流急剧增大，最终可能使PN结击穿。
以上是PN结的基本工作原理。
