IGBT模块是一种绝缘栅双极型晶体管（Insulated Gate Bipolar Transistor）模块，它结合了BJT（双极型三极管）和MOSFET（绝缘栅型场效应管）的优点，形成了一种复合全控型电压驱动式功率半导体器件。IGBT模块具有高输入阻抗和低导通压降，这使得它既有MOSFET的高输入阻抗，又有GTR（双极型晶体管）的低导通压降。
IGBT模块通常由IGBT芯片和续流二极管芯片（FWD）通过特定电路桥接封装而成，具有节能、安装维修方便、散热稳定等特点。它广泛应用于工业、轨道交通、新能源汽车、航天航空等领域，并在能源变换与传输中扮演着核心角色，常被称为电力电子装置的“CPU”。
IGBT模块在电力电子领域有着广泛的应用，例如在变频器、UPS不间断电源、伺服电机、变频家电等设备的逆变电路中，用于实现直流（DC）与交流（AC）之间的转换。
