氮化镓（GaN）是一种无机化合物，化学式为GaN，是氮和镓的化合物。它是一种具有宽带隙的半导体材料，通常呈现为白色或微黄色的固体粉末。GaN以其独特的物理和化学性质，在多个领域有着广泛的应用，包括发光二极管（LED）、微波功率晶体管、以及高功率、高速的光电元件等。
主要特点和应用：
宽带隙：GaN具有约3.4电子伏特的宽带隙，这使得它在高温、高功率和高频率的应用场景下表现出色。
高硬度和高熔点：GaN结构稳定，硬度高，熔点高，适合用于极端环境。
高导热率：GaN具有高的热导率，适合用作散热材料。
化学稳定性好：GaN几乎不被任何酸腐蚀，具有强的化学稳定性。
抗辐射和抗高温能力：GaN能够承受较强的辐照和高温，适合用于军事和太空等极端环境。
应用实例：
发光二极管（LED）：GaN用于制造蓝光和紫外光LED，是LED技术的重要组成部分。
微波功率晶体管：GaN因其优异的物理特性，成为制造微波功率晶体管的理想材料。
充电器：使用GaN材料的充电器相较于传统硅材料充电器，体积更小，充电更快，效率更高。
生长方法：
MOCVD（金属有机化合物气相沉积）：工业上通常采用MOCVD设备来生长GaN薄膜。
氮化镓因其出色的性能，被认为是继硅之后下一代半导体材料的代表，对现代电子和光电子产品的发展具有重要意义
